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运算放大器增益误差设计指南

2017-07-21

       Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的 0.555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。

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